WG50N65DHJQ

零件编号:
WG50N65DHJQ
制造商:
WeEn Semiconductors
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
规格书:
-

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
封装 / 外壳 TO-247-3
输入类型 Standard
集电极脉冲电流 (Icm) 200 A
栅极电荷 160 nC
供应商器件封装 TO-247-3
反向恢复时间 105 ns
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
最大功率 278 W
测试条件 400V, 50A, 10Ohm, 15V
集电极电流(Ic)(最大值) 91 A
开关能量 1.7mJ (on), 600µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 66ns/163ns