STGB50H65FB2

零件编号:
STGB50H65FB2
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
规格书:
-

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
供应商器件封装 TO-263 (D2PAK)
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
最大功率 272 W
集电极电流(Ic)(最大值) 86 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
测试条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
栅极电荷 151 nC
开关能量 910µJ (on), 580µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 28ns/115ns