STGB30H65DFB2

零件编号:
STGB30H65DFB2
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
封装 / 外壳 TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
输入类型 Standard
集电极电流(Ic)(最大值) 50 A
栅极电荷 90 nC
反向恢复时间 115 ns
供应商器件封装 D2PAK-3
最大功率 167 W
集电极脉冲电流 (Icm) 90 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
测试条件 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
开关能量 270µJ (on), 310µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 18.4ns/71ns