RGW80TK65EGVC11

零件编号:
RGW80TK65EGVC11
制造商:
ROHM Semiconductor
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
规格书:
-

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
输入类型 Standard
集电极脉冲电流 (Icm) 160 A
栅极电荷 110 nC
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
测试条件 400V, 40A, 10Ohm, 15V
最大功率 81 W
供应商器件封装 TO-3PFM
反向恢复时间 102 ns
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
封装 / 外壳 TO-3PFM, SC-93-3
集电极电流(Ic)(最大值) 39 A
开关能量 760µJ (on), 720µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 44ns/143ns