RGT8NS65DGC9

零件编号:
RGT8NS65DGC9
制造商:
ROHM Semiconductor
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
规格书:
-

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
输入类型 Standard
开关能量 -
集电极电流(Ic)(最大值) 8 A
反向恢复时间 40 ns
封装 / 外壳 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装 TO-262
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
最大功率 65 W
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
集电极脉冲电流 (Icm) 12 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
栅极电荷 13.5 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 17ns/69ns
测试条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V