RGT8BM65DGTL1

零件编号:
RGT8BM65DGTL1
制造商:
ROHM Semiconductor
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
规格书:
-

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
等级 -
认证 -
输入类型 Standard
封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
开关能量 -
反向恢复时间 40 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
集电极电流(Ic)(最大值) 12 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
最大功率 62 W
集电极脉冲电流 (Icm) 12 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
栅极电荷 13.5 nC
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 17ns/69ns
测试条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V
供应商器件封装 TO-252GE