RGT16NS65DGC9

零件编号:
RGT16NS65DGC9
制造商:
ROHM Semiconductor
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-262
规格书:
-

产品属性

安装类型 Through Hole
零件状态 Active
输入类型 Standard
集电极电流(Ic)(最大值) 16 A
开关能量 -
反向恢复时间 42 ns
封装 / 外壳 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
供应商器件封装 TO-262
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
集电极脉冲电流 (Icm) 24 A
栅极电荷 21 nC
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
最大功率 94 W
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 13ns/33ns
测试条件 400V, 8A, 10Ohm, 15V