MIB30N65AT1Y-TP

零件编号:
MIB30N65AT1Y-TP
其它零件编号:
-
描述:
IGBT DISCRETE,D2-PAK
规格书:
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产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
等级 -
认证 -
集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
输入类型 Standard
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
栅极电荷 160 nC
集电极脉冲电流 (Icm) 60 A
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
最大功率 136 W
反向恢复时间 114 ns
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 30A
开关能量 1.37mJ (on), 0.63mJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 58ns/93ns
测试条件 400V, 30A, 20Ohm, 15V