MG12100D-BA1MM
产品属性
| 零件状态 | Obsolete |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 封装 / 外壳 | Module |
| IGBT类型 | - |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 1200 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 配置 | Half Bridge |
| 集电极截止电流（最大值） | 1 mA |
| Input | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 160 A |
| 最大功率 | 1000 W |
| 供应商器件封装 | D3 |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 100A (Typ) |
| 输入电容（Cies）@ Vce | 8.58 nF @ 25 V |