IKD15N60RBTMA1

零件编号:
IKD15N60RBTMA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
公差 ±5%
安装类型 Surface Mount
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
供应商器件封装 PG-TO252-3-11
电路类型 Isolated
电阻数量 2
电阻匹配比 -
电阻比漂移 -
引脚数量 4
温度系数 ±200ppm/°C
电阻(欧姆) 150k
等级 Automotive
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 600 V
输入类型 Standard
封装 / 外壳 0302 (0805 Metric), Convex, Long Side Terminals
认证 AEC-Q200
高度 - 安装后最大 0.018" (0.45mm)
最大功率 250 W
栅极电荷 90 nC
集电极电流(Ic)(最大值) 30 A
反向恢复时间 110 ns
每单元功率 31mW
尺寸/外形尺寸 0.031" L x 0.024" W (0.80mm x 0.60mm)
应用领域 DDRAM, SDRAM
IGBT类型 Trench
集电极脉冲电流 (Icm) 45 A
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
测试条件 400V, 15A, 15Ohm, 15V
开关能量 900µJ
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 16ns/183ns