IGB20N65S5ATMA1

零件编号:
IGB20N65S5ATMA1
制造商:
Infineon Technologies
其它零件编号:
-
描述:
IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
输入类型 Standard
封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
最大功率 125 W
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
栅极电荷 48 nC
IGBT类型 Trench Field Stop
测试条件 400V, 20A, 20Ohm, 15V
开关能量 360µJ (on), 150µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C 13ns/115ns