HGTP10N50E1D
产品属性
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 封装 / 外壳 | TO-220-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 测试条件 | - |
| 开关能量 | - |
| 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | - |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 500 V |
| 栅极电荷 | 19 nC |
| 最大功率 | 75 W |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 3.2V @ 20V, 17.5A |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 17.5 A |