GT30J65MRB,S1E
产品属性
| 安装类型 | Through Hole |
|---|---|
| 零件状态 | Active |
| 反向恢复时间 | 200 ns |
| IGBT类型 | - |
| 输入类型 | Standard |
| 最大功率 | 200 W |
| 封装 / 外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 60 A |
| Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| 栅极电荷 | 70 nC |
| 供应商器件封装 | TO-3P(N) |
| 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） | 650 V |
| 开关能量 | 1.4mJ (on), 220µJ (off) |
| 导通/关断时间 (Td) @ 25°C | 75ns/400ns |
| 测试条件 | 400V, 15A, 56Ohm, 15V |