GH50H65DRB2-7AG

零件编号:
GH50H65DRB2-7AG
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
IGBT
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
封装 / 外壳 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
输入类型 Standard
集电极脉冲电流 (Icm) 200 A
电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
IGBT类型 Trench Field Stop
Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
测试条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
最大功率 385 W
集电极电流(Ic)(最大值) 108 A
供应商器件封装 H2PAK-7
栅极电荷 152 nC
开关能量 557µJ (off)
导通/关断时间 (Td) @ 25°C -/117ns
反向恢复时间 912 ns