RGT8BM65DGTL1

部品番号:
RGT8BM65DGTL1
メーカー:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
Datasheet:
-

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
グレード -
認定 -
输入类型 Standard
パッケージ / ケース TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
スイッチングエネルギー -
逆回復時間(trr) 40 ns
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
コレクタ電流 (Ic) (最大) 12 A
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
IGBTタイプ Trench Field Stop
パワー - 最大 62 W
電流 - コレクタパルス (Icm) 12 A
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 4A
ゲートチャージ 13.5 nC
Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/69ns
試験条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252GE