RGT30NS65DGC9

部品番号:
RGT30NS65DGC9
メーカー:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
逆回復時間(trr) 55 ns
输入类型 Standard
スイッチングエネルギー -
パッケージ / ケース TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ TO-262
コレクタ電流 (Ic) (最大) 30 A
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
ゲートチャージ 32 nC
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
電流 - コレクタパルス (Icm) 45 A
IGBTタイプ Trench Field Stop
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 15A
試験条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (オン/オフ) @ 25°C 18ns/64ns
パワー - 最大 133 W