HGT1S2N120CN

部品番号:
HGT1S2N120CN
メーカー:
Fairchild Semiconductor
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT NPT 1200V 13A TO-262
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Obsolete
実装タイプ Through Hole
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
输入类型 Standard
コレクタ電流 (Ic) (最大) 13 A
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
IGBTタイプ NPT
パッケージ / ケース TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ TO-262
電流 - コレクタパルス (Icm) 20 A
ゲートチャージ 30 nC
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
パワー - 最大 104 W
スイッチングエネルギー 96µJ (on), 355µJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C 25ns/205ns
試験条件 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V