HGT1S12N60A4DS

部品番号:
HGT1S12N60A4DS
メーカー:
Fairchild Semiconductor
Other Part Numbers:
-
説明:
IGBT 600V 54A TO-263AB
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 600 V
输入类型 Standard
パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - コレクタパルス (Icm) 96 A
逆回復時間(trr) 30 ns
Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 12A
ゲートチャージ 120 nC
パワー - 最大 167 W
試験条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
コレクタ電流 (Ic) (最大) 54 A
スイッチングエネルギー 55µJ (on), 50µJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/96ns
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB